正解：實際上，電阻率很高的半導(dǎo)體，不一定都是本征半導(dǎo)體。

首先要搞清楚本征半導(dǎo)體的實質(zhì)。凡是兩種載流子都對導(dǎo)電起同樣作用的半導(dǎo)體，就稱為本征半導(dǎo)體。因此，平衡電子濃度和平衡空穴濃度相等的半導(dǎo)體，即為本征半導(dǎo)體；從而本征半導(dǎo)體的條件是：no=po=ni。

可見，未摻雜的半導(dǎo)體確實是本征半導(dǎo)體，但是摻雜半導(dǎo)體在高溫下也可以轉(zhuǎn)變?yōu)楸菊靼雽?dǎo)體。因為多數(shù)載流子主要是由摻雜提供的，則在雜質(zhì)全電離時，多數(shù)載流子 濃度基本上不隨溫度變化；又因為少數(shù)載流子完全是由本征激發(fā)所產(chǎn)生的，而本征激發(fā)是一種熱激發(fā)過程，產(chǎn)生的少數(shù)載流子濃度將隨溫度指數(shù)式增加。所以，當(dāng)溫 度升高到某一定程度時，少數(shù)載流子濃度就將等于多數(shù)載流子濃度，這時半導(dǎo)體就變成了本征半導(dǎo)體，但是這種本征半導(dǎo)體的導(dǎo)電性很好。

此外，未摻雜的本征半導(dǎo)體，因為載流子都是由熱激發(fā)產(chǎn)生的，則在室溫下數(shù)量很少，其電阻率確實很高。然而若同時摻有大量施主和受主的所謂補償半導(dǎo)體，由于雜質(zhì)的補償（抵消）作用，使得有效的多數(shù)載流子濃度很少（等于兩種雜質(zhì)濃度的差），所以這時半導(dǎo)體也將具有很高的電阻率，但這決不是本征半導(dǎo)體。