晶閘管（可控硅）兩端為什么并聯(lián)電阻和電容及阻容元件的選擇

一、晶閘管(可控硅)兩端為什么并聯(lián)電阻和電容在實(shí)際晶閘管(可控硅)電路中，常在其兩端并聯(lián)RC串聯(lián)網(wǎng)絡(luò)，該網(wǎng)絡(luò)常稱為RC阻容吸收電路?！　∥覀冎?，晶閘管(可控硅)有一個(gè)重要特性參數(shù)－斷態(tài)電壓臨界上升率dlv/dlt。它表明晶閘管(可控硅)在額定結(jié)溫和門極斷路條件下，使晶閘管(可控硅)從斷態(tài)轉(zhuǎn)入通態(tài)的最低電壓上升率。若電壓上升率過(guò)大，超過(guò)了晶閘管(可控硅)的電壓上升率的值，則會(huì)在無(wú)門極信號(hào)的情況下開(kāi)

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晶閘管的結(jié)構(gòu)和工作原理

1．晶閘管的結(jié)構(gòu)???晶閘管是一種4層功率半導(dǎo)體器件，具有3個(gè)PN結(jié)，其內(nèi)部的構(gòu)造、外形和電路符號(hào)如圖6-1所示。其中，最外層的P區(qū)和N區(qū)分別引出兩個(gè)電極，稱為陽(yáng)極A和陰極K，中間的P區(qū)引出控制極（或稱門極）。???????????????2．晶閘管的工作原理???晶閘管組成的實(shí)際電路如圖6-2所示。???????????????????????為了說(shuō)明晶閘管的工作原理，可將其看成NPN和PNP兩

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微電子的發(fā)展趨勢(shì)

國(guó)際微電子發(fā)展的趨勢(shì)是：集成電路的特征尺寸將繼續(xù)縮小，集成電路(IC)將發(fā)展為系統(tǒng)芯片(SOC)。微電子技術(shù)和其他學(xué)科相結(jié)合將產(chǎn)生很多新的學(xué)科生長(zhǎng)點(diǎn)，與其它產(chǎn)業(yè)結(jié)合成為重大經(jīng)濟(jì)增長(zhǎng)點(diǎn)。1999年中國(guó)集成電路的總消耗量折合人民幣為436億元，其中國(guó)產(chǎn)芯片的總量為83.8億元人民幣，占世界芯片產(chǎn)量的0.6%。雖然中國(guó)微電子產(chǎn)業(yè)的發(fā)展有了很大進(jìn)步，但與發(fā)達(dá)國(guó)家相比還很落后，生產(chǎn)技術(shù)總體上還有2代左右的差

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